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东方证券周军:从手机基带芯片研发看中国TD-LTE进展

2012年10月23日 17:25 来源: 金融界网站 【字体:

  整个手机基带芯片从预研到量产需要一个漫长的流程。目前市场上有人会将芯片流片成功误解为产品可以成功量产上市。殊不知,芯片的流片成功仅仅是刚开始。如果是一款全新设计的产品,距离其大规模量产上市往往还需要有6到12个月以上。一款芯片研发往往需要经历8个步骤,包括芯片前端设计、芯片后端设计、流片、调试协议栈和软件、场测、运营商认证、量产供货、手机正式上市等。

  预计未来TD-LTE手机基带芯片主流是28nm单芯片方案。出于保护国内TD产业链的需要,中国政府和运营商要求国内的TD-LTE手机必须兼容TD-SCDMA,也就是说未来国内商用的TD-LTE手机要支持5种模式:GSM,UMTS,TD-SCDMA,FDD-LTE和TD-LTE,甚至还会有CDMA1x。从芯片角度,解决手机多模有两种方案:单芯片和双芯片。单芯片就是指把所有的制式都集中在一颗芯片上,最有代表性的芯片就是高通的MSM8960,号称全球模式,支持TD-LTE/LTEFDD/TD-SCDMA/UMTS/GSM/EVDO/CDMA1*等。双芯片方案就是采用一颗3G及3G以下兼容芯片,外加一颗4GLTE芯片,这个方案的好处是可以把LTE芯片也用40nm生产,但成本非常昂贵,面对单芯片方案没有任何竞争力。但另一方面,28nm制程,体积小,功耗低,成本要比制造40nm的同规格产品便宜很多。因此预计未来28nm及以下产品将是手机基带芯片的主流配置.而40nm多模产品的竞争力不够,如果是单模(仅有LTE功能)可作为数据卡的产品,预计最快明年可以商用。

  预计明年28nm的产能依然非常紧张。28nm的优势比起40nm来说的确非常大,但缺点也很多。目前全球第三方代工提供28nm制程的只有台积电一家,不但产能非常紧张,同时每次流片的费用非常昂贵,(500万美元一次,而40nm流片一次只需要100万美元)。因此,预计到明年底,能采用28nm产品流片的厂商依然不超过5家,除了高通外,展讯、联发科、Marvell、海思依次有这个可能。

  中国TD-LTE手机基带芯片的全面开花可能要等到2014年。从我们与产业链的上下游沟通来看,明年可能只有高通会推出多模单芯片的商用TD-LTE语音芯片(联发科可能在明年下半年到后年上半年推出),别的公司可能推出LTE数据卡,或者单独的LTE芯片(如海思)。由于明年全球28nm芯片的产能依然非常紧缺,预计要等到28nm的产能瓶颈解决后,才能迎来TD-LTE多模的春天,而这很可能是要等到2014年。

  投资策略与建议:TD-LTE手机基带芯片的研发进度目前来看是受制于28nm的产能瓶颈和TDSCDMA与TD-LTE的研发难度,预计要到2014年多个公司的基带芯片方案才能量产上市,我们认为这个也是中国的TD-LTE商用的大前提。因此预计中国TD-LTE在2014年将迎来大规模商用化的春天。

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