7月27日，三星电子披露下一代高带宽内存HBM5的核心技术参数，其运行速度较HBM4E提升50%以上，性能实现大幅跃升。

三星电子半导体事业部技术开发室长具子铉在官方采访中明确，“HBM5基础芯片将采用GAA结构的2纳米工艺，并实现更高集成度的硅通孔（TSV）”，这是三星迄今对外公布的最明确的HBM5技术规格方案。

依托成熟制程技术，三星代工部门已于2025年下半年启动2纳米第一代工艺量产，计划2026年下半年推出性能与良率进一步优化的2纳米第二代工艺，应用于移动端产品。目前，三星已获得特斯拉车规级2纳米产品订单，并持续收到多家AI、高性能计算及云服务商的追加订单。

同日，三星电子与博通签署期限至2030年的长期业务谅解备忘录，双方预估五年内存储芯片、晶圆代工、先进封装整体合作规模最高可达2000亿美元。其中存储板块，双方将依托三星HBM技术联合研发博通下一代AI加速器产品，三星持续供给HBM系列显存，满足大模型算力芯片高带宽、低延迟的运行需求。

具子铉表示，三星将基于4纳米HBM4基础芯片的技术积累，提前在HBM5中应用2纳米工艺，并拓展与移动、汽车电子、机器人等多领域客户的合作，推动半导体生态系统扩容。

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