乾照光电取得LED芯片专利，有效提升光提取效率

2024年3月21日消息，据国家知识产权局公告，厦门乾照光电股份有限公司取得一项名为“一种LED芯片“，授权公告号CN220627836U，申请日期为2023年8月。

专利摘要显示，本实用新型提供了一种LED芯片，通过设置所述第二电极(金属反射)、钝化层(介质层)、第二接触孔、电流阻挡层(介质层)以及透明导电层(导电层)的相互结构关系形成ODR结构，光线在所述复合区域可形成全反射，从而使第二电极对应复合区域的光线被反射后从LED芯片的上表面取出，藉以有效地提升光提取效率；同时，在所述第二电极的正下方设有所述电流阻挡层，可很好地防止LED芯片从第二电极(P型电极)注入的电流集中在电极正下方而造成的电流拥挤现象。