三星取得形成石墨烯的方法专利，通过等离子体增强化学气相沉积在基板的表面上生长石墨烯

2024年4月8日消息，据国家知识产权局公告，三星电子株式会社取得一项名为“形成石墨烯的方法“，授权公告号CN110970289B，申请日期为2019年9月。

专利摘要显示，提供一种形成石墨烯的方法。形成石墨烯的方法包括：当对放置在反应室中的基板施加偏压时用等离子体处理基板的表面；以及通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)在基板的表面上生长石墨烯。