青岛旭芯互联科技研发申请氮化镓上生长石墨烯的方法专利，大大提高了石墨烯层与氮化镓的外延层之间的兼容性

2024年12月7日消息，国家知识产权局信息显示，青岛旭芯互联科技研发有限公司申请一项名为“氮化镓上生长石墨烯的方法”的专利，公开号 CN 119082697 A，申请日期为 2024 年 8 月。

专利摘要显示，本申请提供一种氮化镓上生长石墨烯的方法，包括：在氮化镓的外延层上沉积催化剂，形成预设图案的催化层；于催化层的表面生长出预设图案的石墨烯层；采用湿法腐蚀工艺去除催化层。本申请的氮化镓上生长石墨烯的方法，通过沉积的预设图案的催化层以指导石墨烯层的生长，石墨烯层能够按照预设图案的形状和尺寸生长于催化层表面，操作简单方便，且能够实现对石墨烯层的形状的精准控制；由于石墨烯层通过催化层生长于氮化镓的外延层上，且在生成后石墨烯层后，采用湿法腐蚀工艺去除催化层，大大提高了石墨烯层与氮化镓的外延层之间的兼容性，减少界面缺陷，保证了石墨烯层的质量，提高了电子器件的性能和可靠性，适合大规模、批量化生产。