友劲电子申请单层稳定石墨烯基薄膜专利，具有稳定、导电的效果

2024年12月17日消息，国家知识产权局信息显示，东莞市友劲电子有限公司申请一项名为“一种单层稳定石墨烯基薄膜及其制备方法”的专利，公开号 CN 119121177 A ，申请日期为2024 年 7 月。

专利摘要显示，本发明公开了一种单层稳定石墨烯基薄膜及其制备方法，涉及薄膜技术领域。本发明先利用气相化学沉积法制备单层石墨烯薄膜；以单层石墨烯为基础建构出三维立体多孔结构，通过磁控溅射轰击使得金属铟颗粒与碳离子悬键相结合，进一步提高薄膜整体的导电能力；再以硅烷偶联剂为助剂与石墨烯层化学链接，改善其在树脂中的稳定性的同时不易团聚破坏其三维结构；对薄膜整体进行摩擦点微等离子体处理改性，使产生的氧离子附着在薄膜表面，改善了材料的电学性能提高其导电性；氧离子在薄膜的状态并不稳定，以升温的方式使其得到部分脱附，实现对薄膜结构稳定性的调控。本发明制备的薄膜具有稳定、导电的效果。