苏州盛光申请生长石墨烯的方法专利，提高低温生长石墨烯的效率

2024年12月20日消息，国家知识产权局信息显示，苏州盛光材料有限公司申请一项名为“种生长石墨烯的方法”的专利，公开号CN 119143117 A，申请日期为2024年9月。

专利摘要显示，本发明涉及一种生长石墨烯的方法，包括：通过引入等离子体氧化气氛去除铜基底表面杂质；维持等离子体氧化气氛，采用化学气相沉积法，在所述铜基底表面生长石墨烯；其中，生长石墨烯所用碳源为固态碳源，所述固态碳源可通过将芳香族化合物与固体石墨烯混合得到。本发明使用等离子体可高效去除铜表面杂质，提高了低温生长石墨烯的效率，能促进固态碳源快速裂解，同时引入石墨烯粉体或石墨烯片作为芳香族化合物的吸附载体，可有效调节裂解速度，有助于提高石墨烯质量。本发明用固态碳源在铜连接器上生长石墨烯，拓宽了石墨烯生长基底的选择范围，为石墨烯与铜材料结合的产品开辟了更加广阔的发展前景。