邑文微电子申请一种硅基材料RTO过程中漏氧程度的量测方法及其应用专利，能够准确量测硅基材料在RTO过程中的漏氧程度

2025年1月31日消息，国家知识产权局信息显示，无锡邑文微电子科技股份有限公司申请一项名为“一种硅基材料RTO过程中漏氧程度的量测方法及其应用”的专利，公开号CN 119381279 A，申请日期为2024年10月。

专利摘要显示，本发明提供一种硅基材料RTO过程中漏氧程度的量测方法及其应用，属于半导体技术领域。所述量测方法包括以下步骤：将硅基材料置于热处理装置中，然后设定所述热处理装置的温度、恒温时间和内腔空间的压力，并使得所述热处理装置的腔体空间内的气氛为惰性气氛；测量热处理后的硅基材料中氧化层的厚度和均匀性，以判断RTO过程中的漏氧程度。本发明提供的量测方法不仅工艺简单，能够准确量测硅基材料在RTO过程中的漏氧程度，效率高，而且能够在高温环境下准确测量硅基材料的漏氧程度和均匀性，可实现对RTO过程中装置内腔体空间的密封性检测。

天眼查资料显示，无锡邑文微电子科技股份有限公司，成立于2011年，位于无锡市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本36000万人民币，实缴资本2142.432万人民币。通过天眼查大数据分析，无锡邑文微电子科技股份有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目133次，知识产权方面有商标信息20条，专利信息317条，此外企业还拥有行政许可31个。