三星 2nm 工艺相较 3nm 能效提升 8%，Exynos 2600 率先采用

三星力求在 2 纳米时代重振其晶圆代工业务，目前看来已步入正轨。该公司近日公布了其下一代制程工艺的首批量产成果，显示出相较前代工艺显著的性能提升。即将搭载于 Galaxy S26 的 Exynos 2600 芯片即采用该工艺制造。此外，据称三星已成功为这一先进制造技术争取到其他芯片客户。

据 Dailian 报道，三星在其第三季度财报中披露，其第一代 2 纳米全环绕栅极（Gate-All-Around， GAA）制程相较于第二代 3 纳米技术有了显著提升：性能提升 5%，能效提升 8%；芯片面积更缩减了 5%，表现颇为亮眼。

近年来，三星晶圆代工部门持续面临行业龙头、同时也是主要竞争对手台积电（TSMC）的激烈竞争。根据 2025 年第二季度数据，台积电在全球晶圆代工市场所占份额已超 70%。不过，行业分析人士普遍认为，向 2 纳米技术的过渡有望为三星缩小与台积电的差距创造契机。

据IT之家了解，三星与台积电均在 2 纳米节点采用 GAA 架构，但两者技术路径存在差异：台积电系首次在 2 纳米节点引入 GAA，而三星早在其上一代 3 纳米制程中已率先应用该架构。这意味着三星在 GAA 技术上已积累了一代量产经验，或具备一定先发优势。其实际竞争力如何，尚待搭载 Exynos 2600 芯片的 Galaxy S26 手机正式上市并接受市场检验后方能揭晓。

关键仍然在于良率，通常认为 60% 以上的良率适合量产。台积电在 2 纳米工艺上实现了约 80% 的良率，被认为已进入稳定量产阶段。据悉，三星电子已将良率提升至 50%~60% 的水平。