三星电子将从2月起向英伟达供应12层堆叠的HBM4高带宽内存,5月实现大规模出货。相关产品已完成英伟达最终质量认证流程,三星电子DS部门已确定在2月启动对应产品的晶圆投片。该产品于去年底进入英伟达最终认证阶段,进度在全球三大存储芯片厂商中领先于海力士和美光,不过三星电子和英伟达均未公开确认认证结果。若12层堆叠HBM4无需修改设计即可顺利推进,从2月投片开始,三星电子大约需要3个月完成工艺优化,具备商业供货条件的量产产品将在5月中旬形成规模,并逐步扩大出货规模。业内信息显示,此前部分报道提及的2月供应HBM4,更多指向去年12月产出的少量样品,并不代表全面量产已经启动。三星电子还计划借助12层堆叠HBM4进展稳定的契机,加快推进16层堆叠HBM4等更高规格产品,具体推进时间仍需等待客户验证以及市场需求进一步明朗。与此同时,海力士选择调整HBM4产品设计,并重新申请英伟达认证,高带宽内存市场的竞争态势仍在持续加剧。
开源证券股份有限公司2026年1月22日发布的通信行业点评报告提到,英伟达Vera Rubin机柜搭载的总HBM4内存达20.7TB,是上一代的1.5倍;HBM4带宽为1.6PB/s,是上一代的2.8倍。中银国际指出,AI与数据扩张推动存储进入新周期,HBM等新技术迭代需求旺盛,国产存储迎来加速发展的机遇。
产业链及企业梳理
一、HBM存储芯片制造环节
三星电子:核心业务涵盖半导体存储芯片研发、生产与销售,完成英伟达12层堆叠HBM4最终质量认证,2月启动对应产品晶圆投片,5月计划实现大规模出货,同步推进16层堆叠HBM4等更高规格产品研发。
海力士:核心业务为存储芯片研发制造,调整HBM4产品设计并重新申请英伟达认证,计划2026年2月量产HBM4配套英伟达产品。
美光科技:核心业务包含存储芯片生产销售,布局HBM4产品,计划2026年第二季度量产出货。
兆易创新:核心业务涵盖专用型存储芯片研发生产,参与存储芯片国产化进程。
二、HBM封装测试环节
长电科技:核心业务为集成电路封装测试,承接存储芯片封测订单,当前存储封测环节产能紧张,调整服务价格。
通富微电:核心业务包含集成电路封装测试,参与HBM相关产品封测配套,承接存储封测相关订单。
华天科技:核心业务为半导体封装测试,承接存储封测订单,产能利用率随存储需求增长有所提升。
三、下游应用环节
英伟达:核心业务为人工智能计算芯片研发生产,Vera Rubin机柜搭载总HBM4内存达20.7TB,带宽为1.6PB/s,推动HBM4产品落地商用。
AMD:核心业务为高性能计算芯片研发生产,为三星电子HBM4产品下游客户之一。
市场有风险,投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成,仅供参考,不构成个人投资建议。

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