imec公布光刻优化成果：氧浓度提至50% 烘烤进程加速15%至20%

2月28日，比利时校际微电子研究中心imec公布一项光刻效率优化研究成果，通过调整曝光后烘烤环节的氧气浓度，可有效提升先进光刻工艺的生产效率。

本月25日，imec在测试平台完成相关验证，针对适配High NA EUV等先进光刻的金属氧化物光刻胶（MOR），在烘烤环节将氧气浓度提升至50%——高于大气环境21%的氧含量，可实现更高效的烘烤放大效果，使烘烤进程加速15%至20%。该效果在商用、实验模型金属氧化物光刻胶中均得到验证。

这一优化意味着达成相同图案化效果仅需更低的光刻照射剂量，能够缩短光刻工序用时，直接提升EUV光刻机的生产效率，同时降低单晶圆曝光工序成本。此前行业未将曝光后烘烤腔室的气体成分作为核心优化方向，该研究为半导体光刻全流程效率优化提供了全新思路。

金属氧化物光刻胶已成为先进制程主流候选光刻胶，适配低数值孔径EUV光刻，并将用于高数值孔径EUV光刻，相比传统化学放大光刻胶具备更高分辨率与更低线边缘粗糙度的优势，此次研究进一步强化了其性能表现。

imec方面表示，要将该研究成果落地应用，晶圆代工厂需推动设备商对曝光后烘烤设备进行改造，以实现可控氧浓度的烘烤环境。

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