浙江驰拓科技申请OTP存储器及其制备方法专利，提高OTP存储器的击穿电压和良率

国家知识产权局信息显示，浙江驰拓科技有限公司申请一项名为“一种OTP存储器及其制备方法”的专利，公开号CN122161096A，申请日期为2024年12月。

专利摘要显示，本申请涉及半导体技术领域，公开了一种OTP存储器及其制备方法，包括：由下至上依次层叠的第一金属层、核心结构层和第二金属层，核心结构层包括交替层叠的绝缘介质膜层和金属膜层，绝缘介质膜层的层数至少为两层，金属膜层的层数至少为一层；核心结构层的边缘在垂直方向上呈非直线型。核心结构层中绝缘介质膜层的层数至少为两层，绝缘介质膜层可以分散施加在OTP存储器上的电压，不仅可以显著增加并精确控制击穿电压，而且可以减小击穿电压的分布。核心结构层的边缘呈非直线型，金属膜层可以起到保护位于金属膜层上方的绝缘介质的作用，可以减小刻蚀过程中绝缘介质层边缘处的金属反溅沉积和刻蚀损伤，提高OTP存储器的击穿电压和良率。

天眼查资料显示，浙江驰拓科技有限公司，成立于2016年，位于杭州市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本17714.088889万人民币。通过天眼查大数据分析，浙江驰拓科技有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目100次，财产线索方面有商标信息14条，专利信息489条，此外企业还拥有行政许可8个。

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