重庆云潼科技取得一种SGT MOSFET器件结构专利，降低SGT MOSFET器件的比导通电阻Rsp

国家知识产权局信息显示，重庆云潼科技有限公司取得一项名为“一种SGT MOSFET器件结构”的专利，授权公告号CN224343675U，申请日期为2025年4月。

专利摘要显示，本实用新型涉及半导体技术领域，尤其涉及一种SGT MOSFET器件结构，该器件结构包括：衬底、外延层、掺杂区、栅极区和缓冲层；所述外延层位于所述衬底之上；所述掺杂区位于所述外延层上；所述栅极区位于所述外延层上，且贯穿所述掺杂区；所述缓冲层位于所述外延层中，且位于所述掺杂区之下，并包裹所述栅极区的栅极沟槽。该器件结构降低SGT MOSFET器件的比导通电阻Rsp，并保持器件的耐压BVDSS变化不明显，降低器件的生产成本，具有经济实惠、操作性强等优势。

天眼查资料显示，重庆云潼科技有限公司，成立于2018年，位于重庆市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本961.6794万人民币。通过天眼查大数据分析，重庆云潼科技有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目8次，财产线索方面有商标信息85条，专利信息244条，此外企业还拥有行政许可11个。

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