三星披露下一代NAND路线图：CMB键合技术将SSD容量升至32TB

6月14日至18日，在美国夏威夷召开的2026年VLSI技术与电路研讨会上，三星电子披露了下一代NAND闪存路线图，计划2030年前后通过CMB键合技术冲击900至1000层堆叠，将QLC SSD容量提升4倍至32TB。

根据三星在研讨会上展示的幻灯片，公司计划2029年实现420层NAND闪存解决方案，2030年推进至560层以上。随后在下一个十年初，将层数翻倍至1000层以上。MoreThanMoore的Ian Cutress博士指出，这一方案可将目前8TB QLC M.2 SSD容量提升至最高32TB。

实现路径不是单芯片无限堆叠。三星采用CMB（单元多重键合）连接方式，在一颗芯片内封装两组450层单元。换句话说，就是把两块独立制造的NAND晶圆“拼”成一个整体。

但事情并没有这么简单。

层数越高，晶圆翘曲问题越突出。堆叠应力随层数增加，晶圆在制造过程中容易弯曲变形，导致光刻对准失败和良率骤降。三星给出的解决方案是Upper Chuck Design——一种专用夹具控制翘曲，再配合Overlay Correction技术修正层间对位误差。三星披露，此前已首次实现900层级VNAND集成验证，并引入了新的位线和字线结构，可降低功耗并缩小芯片尺寸。

市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。