美光：下一代DRAM与NAND 2027年量产，HBM4收入超10亿美元

美光科技于美东时间6月24日盘后表示，下一代DRAM与NAND节点的研发进展良好，预计将在2027年下半年进入量产阶段。

同一场合，美光披露了HBM4产品的最新进展。公司称，HBM4 12层产品的量产爬坡速度目前是HBM3E 12层版本的两倍，累计HBM4收入已超过10亿美元。

这些技术路线更新，与美光刚交出的创纪录财报同步释出。财报数据显示，公司第三财季总收入达到415亿美元，环比增长74%，同比大增346%；综合毛利率达84.9%，连续第五个季度刷新收入纪录。美光董事长兼CEO Sanjay Mehrotra在电话会上表示，AI的扩散已经在结构上改变了存储行业，公司已与数据中心、消费端和汽车市场的客户签订了16份长期战略供货协议，其中包含4个超大型客户和3个中型客户，以保底采购和价格区间锁定中长期收入。

HBM产品的代际加速是本轮技术更新中最具体的信号。美光12层36GB的HBM4已于今年第一季度量产出货，16层48GB的HBM4也已向客户送样。业界预计美光最晚将在今年下半年交付下一代HBM4E样品。

市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。