涨价恐持续至2028Q2:瑞银预估2026Q3全球内存合约价环比上涨32%

科技媒体Wccftech昨日(7月3日)发布博文,报道称瑞银(UBS)预估DRAM内存供应紧张导致的涨价将持续到2028年第2季度,今年依然有较大涨价空间。

瑞银预估2026年第3季度全球内存合约价环比上涨32%,较此前预测(17%)上调15个百分点;在第4季度,该机构预估内存合约价环比再上涨18%,较此前预测(12%)上调6个百分点。

供需数据方面,瑞银预估2027年内存需求将增长36.2%,而供应方面预估增长19.3%。

在NAND闪存方面,瑞银预估2026年第3季度环比上涨30%,较此前预测(17%)上调13个百分点;在第4季度环比上涨12%。相关图片如下:

A stacked bar chart titled 'Demand for High-capacity' illustrates the growth projection of NAND layers from 2022 to 2031, highlighting '420L' and '>1000L' expected around 2030, from the 2026 IEEE VLSI Symposium on Technology and Circuits.

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责任编辑:小讯
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