消息称SK海力士计划重启大连二厂扩建工程，将生产238层NAND闪存芯片

据韩媒newstomato消息，业界消息透露，SK海力士近期将以向中国大连第二工厂引进设备为契机，正式推进全新生产线的投资与建设。

SK海力士计划从今年下半年起搬入生产设备，并于明年上半年分阶段完成设施建设。目前，大连第一工厂已完成向192层NAND闪存产线的升级投资以及老化设备的更换工作。

报道称，在SK海力士所有的NAND闪存生产基地中，大连第二工厂被视为能最快实现产能扩充的地点。该公司曾于2022年在大连举行开工仪式并正式宣布投资计划，但随后因NAND闪存行业遇冷，该投资计划实质上已被暂缓。

据悉，部分韩国本土供应商已着手将闲置的NAND闪存设备搬迁至大连，而海外设备制造商也已收到用于设备供应的初步采购订单。

SK 海力士方面向该媒体表示：“随着 AI 数据中心的普及，如同DRAM一样，NAND闪存的需求也在迅速增长。受此影响，大连第二工厂重启的可能性随之升高，但具体的日程尚未最终确定。”

在企业内部，SK海力士正积极为全面投资做准备。去年，SK海力士向大连NAND闪存工厂追加注资了4406亿韩元（现汇率约合19.92亿元人民币）。这一规模较上一年度（2899亿韩元）大幅增长了52%。

另据韩媒Sisa Journal消息，大连第二工厂将在今年下半年获得一条新的V8生产线（238层NAND闪存），月产能目标为3万至5万片晶圆。