观点网讯：8月4日，根据集邦咨询（TrendForce）最新内存行业研究，DRAM供应短缺预计将持续到2027年，英伟达自2026年第三季度以来一直在重新评估Rubin Ultra的HBM（高带宽内存）配置。
英伟达最初计划为Rubin Ultra采用12层堆叠（12hi）的HBM4e配置，从2025年到2026年上半年，12hi HBM4e一直是该平台的基准设计。目前并行评估HBM4e 8hi、HBM4 12hi以及HBM4 8hi等方案，最终规格尚未敲定。
评估下调配置主要源于两大供应端瓶颈：2027年整体DRAM短缺限制HBM晶圆产能，以及12hi HBM4e的验证时间线与量产良率提升存在不确定性。
TrendForce指出，英伟达对Rubin Ultra这一代产品的首要任务是提高I/O速度，扩大GPU出货量是次要任务。若最终决定降低HBM规格，预计将主要通过减少DRAM堆叠层数来实现。
HBM4e能否按期完成验证并量产，将决定Rubin Ultra的I/O速度能否从前一代Rubin的8–11.7 Gbps提升至14–16 Gbps，若仅采用HBM4设计则可能维持在11–12 Gbps。
2027年HBM位元出货量预计同比增长50–60%，但仍无法跟上需求增长的步伐，HBM供应商预计在整个2027年掌握定价权，业界普遍预期HBM价格将大幅上涨。
除英伟达外，部分云服务商（CSP）也在考虑减少其下一代自研ASIC芯片上的HBM容量。2026年上半年以来，CSP、服务器OEM陆续下调服务器配置中的RDIMM容量。
英伟达已决定将下一代Vera Rubin Superchip模组的SOCAMM容量减半，原因是LPDDR5X供应紧张预计持续至2027年。
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