消息称三星电子HBM4良率已接近80%，产能爬坡加速

韩媒《首尔经济日报》当地时间9日援引消息人士的话报道称，三星电子在HBM4内存上的良率已接近80%，即将达成原定2026年底实现的目标；更高的良率也加速了其 HBM4 产能爬坡进程。

业内消息源称，三星电子今年2月初步量产HBM4时其良率仅有60%左右，远不能达到DRAM行业大规模商业化所需水平，这限制了三星电子在HBM4上的投片量。

而随着良率的持续增长，该企业已确保能在HBM4上收获丰厚的回报，自然愿意将更多DRAM晶圆产能分配到HBM4上来。

有消息称，三星电子计划将本季度的HBM4销售额扩大到上季度的3倍以上，最终将其在下半年整体HBM中的营收占比扩展到60+%，并在年底前获得与整体DRAM市场份额相当的HBM市占。