拓荆科技高端半导体设备产业化基地主体结构封顶，计划2028年投入使用

8月10日，国内高端半导体设备龙头拓荆科技位于沈阳市浑南区的高端半导体设备产业化基地顺利完成主体结构封顶。该项目总投资近18亿元，占地147亩，总建筑面积15.6万平方米，是辽宁省、沈阳市重点半导体产业项目。

该项目由拓荆科技及其全资子公司拓荆创益（沈阳）半导体设备有限公司共同投资建设，中国建筑第八工程局有限公司承建。基地规划建设高标准洁净生产车间、智能化立体库房、先进研发中心、测试实验室与综合配套设施，同步引入先进生产管理系统，定位为集规模化、智能化、数字化于一体的绿色智能化示范工厂、拓荆科技全球核心研发制造中心，计划2028年投入使用。

一个细节值得注意：拓荆科技是国内少数具备PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、Flowable CVD等全技术路线量产能力的薄膜沉积设备厂商。据Gartner统计，全球CVD市场由应用材料、泛林半导体、东京电子三家国际巨头主导，合计占据约70%的份额。

拓荆科技专注于薄膜沉积设备和三维集成领域设备的研发和产业化应用，产品广泛应用于逻辑芯片、存储芯片、功率器件、Micro-OLED、硅光技术及图像传感器等领域。受益于AI、先进存储、汽车电子等下游市场快速增长，国内芯片产线对国产薄膜沉积和三维集成装备的需求持续高涨。

截至目前，拓荆科技产品已导入国内约100条芯片产线，性能指标达到国际同类设备先进水平。

拓荆科技近期在业务拓展上动作频频。今年7月，公司披露重大资产重组预案，拟通过发行股份及支付现金方式收购无锡尚积半导体科技股份有限公司100%股权。无锡尚积主要产品包括PVD、CVD工艺薄膜沉积设备与刻蚀设备。此次收购完成后，拓荆科技将补齐PVD领域的产品短板，完善对主流薄膜沉积工艺的全覆盖，从单一设备制造商向核心工艺整体解决方案服务商升级。

根据公司财报，拓荆科技2025年实现营收65.19亿元。沈阳新基地投产后，产能规模将进一步扩大。按照规划，该基地将于2028年投入使用。

市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。