三星(SSNLF.US)HBM4良率突破80%大关，正式迈入“黄金良率”阶段，三季度营收料增三倍

智通财经获悉，据报道，三星电子(SSNLF.US)第六代高带宽内存HBM4的良率已从量产初期的不足60%大幅攀升至80%左右，提前达到公司此前设定的年底目标。据悉，业界将80%的良率称为“黄金良率”，这一突破意味着三星在HBM4的盈利能力和大规模供应上迈出关键一步。

今年2月，三星在全球率先启动HBM4的量产供货，但初期良率仅有不到六成。经过约半年的工艺优化，良率实现了快速稳定。报道援引业内人士消息称，三星原计划在2026年底前达成80%良率，如今进度明显超前。

针对良率提升的原因，报道指出，三星在热压非导电膜(TC-NCF)工艺上的改进是良率提升的重要支撑;而其他分析人士则强调，HBM4所采用的1c DRAM基础芯片良率的提高同样功不可没。

随着“黄金良率”的兑现，三星的产能扩张和盈利改善预期显著增强。公司明确，第三季度HBM4的营收将环比增长逾三倍，且在下半年，HBM4占三星整体HBM营收的比重将超过六成。在市场份额方面，三星已将年底HBM市占率目标设定在38%左右，与其在DRAM领域的份额看齐。

分析认为，HBM4产出的扩大，不仅能有力支撑英伟达(NVDA.US)下一代AI加速器Vera Rubin的生产，也有助于英伟达等大客户实现供应链的多元化，摆脱对单一供应商的过度依赖。

韩国祥明大学系统半导体工程教授Lee Jong-hwan表示，从英伟达等大客户的角度来看，供应链来源多元化显然比依赖单一供应商更具优势。三星若能充分利用HBM4供货规模扩大的契机，将有望迅速巩固其市场主导地位。

值得注意的是，三星的竞争对手SK海力士(SKHY.US)在HBM4上同样进展迅速。据业内人士估算称，SK海力士的HBM4良率也已达到80%左右。凭借其在多代HBM产品上积累的量产经验，以及独有的先进质量回流模塑底部填充(MR-MUF)技术，业界普遍预期SK海力士将在下半年顺利推进产能爬坡。