中信证券：算力突破电力边界 SST开启硅进铜退新周期

智通财经获悉，中信证券发布研报称，AI芯片性能与密度提高带来智算中心(AIDC)功耗跃升，传统不间断电源(UPS)架构在能耗、占地等多方面已触及瓶颈，AIDC供配电加速向高压直流化演进。短期内，高压直流输电(HVDC)系统、巴拿马电源有望作为过渡方案，长期看，800VDC+固态变压器(SST)凭借中压直入、高频隔离及“硅进铜退”优势，或成为高密算力供电的终局解决方案。建议关注SST整机及SiC、高频磁件、电容和固态断路器等核心环节。

中信证券主要观点如下：

算力扩张由“芯片约束”转向“电力约束”，高密度机柜倒逼供配电Capex前置

AI算力升级同时推高单芯片功耗、机柜功耗密度与负载波动幅度，传统数据中心约10kW级机柜正向Rubin Ultra/Kyber的MW级跨越。柜外电源设备已由后台配套升级为决定GPU部署密度、上线速度与有效算力产出的核心基础设施，有望成为本轮AIDC资本开支中价值量提升最确定的环节之一。

英伟达 800VDC方向已经确立，供电架构沿“高压化、直流化、模块化、极简化”加速演进

传统UPS需要经历中压降压、AC/DC整流、DC/AC逆变、机架PSU再整流等多级变换，从电网至机柜的串联损耗更大，且低压大电流同步推高铜耗和灰区占地。800VDC通过抬升传输电压、降低同功率电流，可显著改善铜耗、效率并缓解灰白区占地冲突。伴随Rubin时代机柜功率密度跃升，供电架构升级已成为算力交付的必要条件。

柜外Power Rack/Sidecar率先兑现，800VDC+SST是长期收敛方向

短期来看，存量数据中心有UPS Sidecar、HVDC Sidecar/独立柜电源的改进方案，在保留既有交流配电体系的同时释放机柜空间、降低传输损耗;部分新建数据中心则可能选择HVDC系统和巴拿马电源的过渡方案。SST可将中压交流直接变换为800V直流，集成变压、整流、电气隔离、电能质量控制及双向能量管理，减少低压配电层级与故障节点，预计将成为未来AIDC柜外电源架构的终极方案。

SST以“硅进铜退”重构电能路由，能耗效率、缩减灰区占地和全生命周期经济性构成产业化底层驱动力

根据英伟达《数据中心800V直流供电技术白皮书》数据，SST依托功率半导体和高频磁性元件，将工作频率由50/60Hz提升至kHz级，大幅压缩变压器体积，全链路效率较传统UPS可提升约3%，系统占地面积可降至传统方案的50%以下。节电节地、缩短部署周期及SiC降本有望持续改善全生命周期经济性，产业化拐点将由“能否实现”转向“何时通过客户验证并形成规模订单”。

功率半导体、高频磁性元件是SST核心功能部件

根据英伟达《数据中心800V直流供电技术白皮书》数据，功率半导体、高频/中频变压器分别约占SST成本的32%、16%，是价值量最集中的增量环节;其中SiC决定耐压、频率与转换损耗，高频磁性元件决定隔离能力及功率密度，薄膜电容、超级电容和固态断路器分别承担母线稳压、瞬时功率支撑与直流故障保护。器件降本与可靠性验证将共同决定SST渗透率拐点。

产业链整体处于产品发布+客户验证阶段，预计2027年将成为规模化部署元年

根据各公司官网及公告，四方股份已推出10kVAC/800VDC、2.4MW数智SST 1.0，目前处于市场推广、场景落地及海外认证推进阶段;中国西电10kV/2.42MVA产品已应用于贵安“东数西算”数据中心;金盘科技已完成10kV/2.4MW样机并持续迭代，尚未公告明确量产时间。现阶段应重点跟踪客户准入、认证结果、示范运行时间、正式订单及收入确认，而不能将发布样机直接等同于规模放量。

市场空间取决于算力芯片出货、单位功耗、架构渗透率、单位价值量与冗余度五项变量，SST具备由0到1的高弹性

本报告采用情景法测算，乐观/中性/悲观情景下2030E SST渗透率分别假设为40%/36%/32%，同时假设规模化降本后SST平均价格降至3.0元/W。该行测算，2030E SST市场规模在乐观条件下有望突破4600亿元，中性条件下可达到4166亿元。

风险因素：

1)AIDC建设不及预期风险;2)技术进展风险;3)关税风险;4)AI相关资本开支不及预期风险;5)竞争加剧风险;6)供应链风险;7)地缘政治与贸易壁垒风险。