三星晶圆代工计划在1nm级节点实现High NA EUV商用

观点网讯：8月11日，三星电子半导体研究院晶圆代工工艺开发团队的Park Chang Min表示，三星晶圆代工计划在1nm级工艺制程节点实现High NA EUV（高数值孔径极紫外光刻）设备的商业化应用。

目前High NA EUV被视为2nm以下制程的关键设备，仍处于早期导入阶段。

High NA EUV即高数值孔径极紫外光刻设备，被业界视为延续先进制程微缩的关键路径。

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