镓仁半导体完成数亿元A轮融资，投向6/8英寸氧化镓衬底扩产

近日，杭州镓仁半导体有限公司宣布完成数亿元A轮融资。本轮由方广资本、深创投集团联合领投，远致星火、中国中车、株洲高科产投、华睿投资、余杭金控、传化资本、嘉道资本跟投，原有股东九智资本、毅岭资本同步超额追加。

据镓仁半导体介绍，本轮资金将重点投向氧化镓产业化推进。一方面支持下游芯片客户完成器件验证，协同打通“衬底外延—芯片器件—终端应用”全链路，推动终端示范应用；另一方面扩大6/8英寸衬底及外延量产产能，以更高良率和交付效率满足客户持续增长的订单需求。

镓仁半导体成立于2022年，总部位于杭州，专注氧化镓这一第四代超宽禁带半导体材料。氧化镓禁带宽度约4.8eV，击穿场强可达8MV/cm，在高功率、超高压器件方向具备应用潜力。

今年7月，镓仁半导体生产的氧化镓同质厚膜外延片在西安电子科技大学完成无终端结构SBD器件制备与验证。验证数据显示，该器件击穿电压为1090至1490V，比导通电阻为2.6至4.5mΩ·cm²，关键指标优于日本头部企业同类器件。

同处杭州的富加镓业也在加码氧化镓。8月10日，富加镓业与芯长征集团签署战略合作协议，双方围绕氧化镓“衬底—外延—器件—模块—应用”建立合作，共同推动第四代半导体氧化镓产业化。

市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。