三星开发8层HBM4E，英伟达要求速率17-18Gbps

8月31日，据首尔经济日报报道，三星电子正开发面向英伟达定制需求的8层HBM4E（第七代高带宽存储器），有望成为英伟达定制高带宽内存NVHBM的关键供应商，也是NVHBM的早期核心合作供应商。

英伟达对这款产品提出的速率要求为17至18Gbps，较三星此前HBM4E样品14.4Gbps的速率提升约20%。8层设计低于三星原计划的12层和16层方案。过去HBM依靠增加堆叠层数提升容量，从4层迭代至8层、再到12层。堆叠层数越高，DRAM芯片需要打磨得越薄，堆叠工艺的精度要求随之抬升，后端工艺难度和良率压力同步加大。

这一次，英伟达的思路反了过来。

英伟达正在推行的AI内存策略，不再一味追求更高的堆叠层数，而是降低层数、提升传输速率。8层方案能够降低薄化、堆叠等后端工艺难度和良率压力，有利于扩大供应规模。

三星电子正按照英伟达的技术要求研发这款产品，将用于NVHBM，并适配英伟达前一日刚刚公布的专有技术标准NVLink。NVHBM预计将率先应用于明年推出的下一代GPU Rubin Ultra，其GPU互联规模将从72颗扩大至最多576颗。

市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。