三星为英伟达研发8层HBM4E，目标速率较样品提升约20%

英伟达正在调整AI内存路线：不再一味追求更高堆叠层数，转而降低堆叠、提升传输速率。三星电子由此成为英伟达定制高带宽内存NVHBM的早期核心供应商。

据财闻海外资讯报道，三星电子正按照英伟达的技术要求，研发第七代HBM4E的8层版本。这一堆叠层数低于三星原本规划的12层、16层方案。英伟达对三星提出的速率指标为17-18Gbps，较三星HBM4E初期样品14.4Gbps的速率提升约20%。该内存将用于NVHBM，适配英伟达前一日刚对外公布的专有技术标准NVLink。

8层设计改写了过去HBM行业的竞争逻辑。此前HBM依靠增加堆叠层数提升容量，从4层迭代到8层、再到12层。堆叠层数越高，DRAM芯片需要打磨得更薄，堆叠工艺精度要求随之抬升，后端工艺难度加大，良率压力显著增加。8层方案能够降低制造难度，更容易实现大规模供货。外界解读，这是英伟达用来破解内存供给短缺的一项策略。

NVHBM把内存控制器移入HBM基片，相比标准HBM4E带宽提升、功耗下降。该产品预计将率先应用于明年发布的下一代AI GPU Rubin Ultra。据环球市场播报消息，Rubin Ultra推出后，GPU之间互联数量将从最多72路扩展至576路。

在定制化HBM市场中，三星被认为比SK海力士和美光更具竞争力。原因是NVHBM同时需要DRAM和基于逻辑芯片的基础裸片（base die）生产能力，三星能够以一体化方式提供。

市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。