英伟达推出NVHBM高带宽内存技术 带宽提升30%功耗降15%

观点网讯：8月31日，英伟达推出新一代高带宽内存技术NVIDIA NVHBM，该技术扩展了NVIDIA NVLink Fusion技术方案，旨在帮助超大规模企业和AI创新者构建新一代半定制AI基础架构。

此次发布正值AI智能体和万亿参数工作负载日益成为主流之际。英伟达指出，AI基础设施的性能不仅取决于计算能力，还取决于计算、内存、存储、网络和软件如何作为统一系统进行协同设计。

技术层面，NVHBM通过将内存控制器集成到3D HBM堆栈，而不是集成在XPU上。与标准HBM4E相比，NVHBM可实现高达30%的内存带宽提升，将HBM功耗降低15%，并为XPU计算die释放多达25%的面积。

供应链方面，据财联社、企查查等报道，三星电子正配合英伟达要求开发8层第七代高带宽存储器（HBM4E），该产品据悉将用于NVHBM。

双方的规格口径存在明显差异：英伟达提出的HBM4E速度规格为17-18Gbps，较三星初期HBM4E 14.4Gbps的样品速度高出约20%。

三星配合开发的8层HBM4E方案，较原计划的12层、16层方案显著降低堆叠高度。

按照计划，NVHBM将由领先的内存合作伙伴完成验证并提供，从而让这种先进的内存能力惠及NVLink Fusion客户。

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