英伟达HBM换路线，8层堆叠速率提升约20%

三星电子正在为英伟达研发一款8层堆叠的HBM4E高带宽内存，把原本规划的12层、16层方案砍了回来。英伟达给这款定制内存定下的速率指标是17至18Gbps，较三星此前14.4Gbps的HBM4E样品高出约20%。

过去几代HBM的升级主线一直是堆层数，从4层到8层再到12层，层数越高，单颗芯片容量越大。但DRAM芯片要磨得更薄，堆叠精度和后端工艺难度同步抬升，良率压力随之增加。

据《首尔经济日报》报道，三星按英伟达要求开发的8层版本，速率定为17至18Gbps，将用于英伟达公布的定制高带宽内存NVHBM，适配其NVLink生态。8层设计带来的是制造难度下降，供货规模更容易拉起来。

和标准HBM4E相比，NVHBM在架构上有一处关键改动，把内存控制器从GPU计算die移到HBM的基础die。按公开规格，这一调整让带宽提升30%、功耗降低15%，同时为计算die腾出最多25%的面积。NVHBM预计率先用在明年发布的下一代GPU Rubin Ultra上，GPU间互联数量将从最多72颗扩展到576颗。

在定制HBM市场，三星被认为比SK海力士和美光更具竞争力，原因是NVHBM同时需要DRAM和逻辑基础die生产能力，而三星能一体化提供。今年5月，三星开始交付业界首批12层堆叠HBM4E样品，采用1cnm工艺DRAM搭配4nm基础die，初始速率14Gbps，每堆栈最高3.6TB/s带宽、48GB容量。8层版，是英伟达点名的下一个规格。

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