SK海力士1c工艺Q4份额或达34%，反超三星电子

SK海力士正加速扩大其第六代10nm级DRAM工艺1c nm的产能份额，到明年第一季度，该工艺有望首次超过1b，成为公司最主流的DRAM工艺。

据韩国媒体ChosunBiz援引业内人士言论称，SK海力士1c DRAM的市场份额正逐季快速抬升：今年第一季度约10%，第二季度约13%，第三季度预计升至24%左右，第四季度将达到34%左右。到明年第一季度，这一份额有望进一步攀升至35%左右，首次超过1b约33%的水平，接棒成为主流工艺。此前的第五代1b DRAM已在第二季度达到约43%的峰值，随后开始回落，传统工艺份额逐步缩小，向1c的转型明显提速。

1c DRAM被作为核心芯片用于堆叠HBM，并应用于下一代高带宽内存HBM4E，这是SK海力士加速工艺切换的直接动因。在服务器与AI领域对高价值内存需求持续增长的背景下，率先完成更精细工艺的切换，成为存储厂商争夺HBM订单的关键一步。

竞争格局也在同步重塑。行业估算显示，截至第二季度末，三星电子1c工艺份额约为16%，美光约为19%，均高于SK海力士的约13%。SK海力士下半年加速转型后，预计第四季度份额将达到约34%，反超三星电子的约31%。

美光同样在加码。据韩联社援引业内知情人士消息，美光计划在年底前将HBM月产能提升至约10万片晶圆，较去年接近翻倍，12层HBM4占比预计从今年初的20%至30%升至年底最高50%。

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