通富微电(002156.SZ)：已掌握3D NAND多芯片堆叠技术、3Ds 2/4H Strip Level DRAM技术、PoP技术

格隆汇9月11日丨通富微电(002156.SZ)在互动平台表示，公司持续围绕存储封装在高堆叠、高密度、高良率等方向开展技术储备和工艺优化，持续提升存储封测产品的性能与可靠性。例如，公司已掌握3D NAND多芯片堆叠技术、3Ds 2/4H Strip Level DRAM技术、PoP技术，具备LPDDR 12DP工程能力开发基础，在高层数存储堆叠封装领域形成了较为扎实的技术积累。