三星电子将B1b技术纳入下一代DRAM正式路线图，命名D0a，并将其定位为首款10纳米以下DRAM

三星电子调整下一代DRAM开发路线，将原以项目推进的“B1b”技术纳入正式路线图并命名为“D0a”，定位首款10纳米以下（nm）DRAM。早期D0a指垂直晶体管（VCT）DRAM，后VCT归入“D0a-V”；更名旨在加速先进封装技术进入通用DRAM。

市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。