三星高管预计HBM明年将占DRAM全球产能近三成，称或限制传统DRAM供应

据路透社，三星电子一位高管表示，高带宽内存（HBM）预计明年将占到各家DRAM芯片厂商全部晶圆产能的近30%，高于目前约20%的水平。

高带宽内存是AI算力中的核心器件，通过垂直堆叠多层存储芯片让处理器能够高速读取海量数据。该市场当前主要由SK海力士、三星电子和美光科技三家企业主导。

三星电子执行副总裁金泰宇（Kim Taewoo）称，HBM与传统DRAM争夺同一批晶圆产能，扩大HBM产出规模可能会限制传统DRAM供应。

半导体市场研究机构TrendForce此前预测显示，到2027年底，全球三大HBM供应商的晶圆投入预计约占DRAM晶圆总投入的三成，但按存储容量计，仅能贡献约13%的DRAM总供给。

三星已开始加快HBM布局。该公司自今年2月起量产出货HBM4，5月向英伟达等客户提供了12层HBM4E样品。

TrendForce在9月29日表示，AI服务器需求持续，HBM与传统DRAM仍将共用有限的先进制程产能，2027年存储器供应预计维持偏紧。

业内预计，三星HBM月均晶圆投入量将由今年约18万片增至明年约25万片，增幅接近四成。

该机构同步上修2027年HBM价格展望，预计混合平均售价同比上涨121%，主要考虑供应持续受限、高价HBM4占比提升以及HBM4E于2027年下半年逐步放量。

市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。