长鑫科技拟用180亿元超募资金投向研发及后道测试两项目，合计总投资349亿元

长鑫科技拟动用180亿元超募资金，分别投向技术研发项目和存储器晶圆后道测试基地二期项目，两项合计投资总额为349亿元。

其中，130亿元将用于新建技术研发项目，另外50亿元以增资和借款方式提供给全资子公司长鑫存储产品（合肥）有限公司，由其投建存储器晶圆后道测试基地二期项目。

相关议案已经公司第二届董事会第六次会议审议通过，尚需提交股东会审议。

长鑫科技IPO实际募集资金净额为663.10亿元，其中超募资金368.10亿元，目前尚未使用。本次计划投入金额约占超募资金总规模的近一半。

技术研发项目计划总投资241亿元，建设期30个月，实施地点位于安徽省合肥经济技术开发区新桥科技创新示范区长鑫12英寸存储器晶圆制造基地内。

该项目拟投入超募资金130亿元，主要用于设备购置，设备购置费为223.98亿元，占计划投资总额的92.94%。

该项目专注技术研发，持续推进产品和制程工艺迭代，以提升存储密度、功耗控制和读写性能，并加快新产品推出。

因属研发性质，公司未单独测算投资回报，其经济效益主要通过技术赋能主营产品、推动业务增长来体现。

后道测试基地二期项目总投资108亿元，建设期37个月，计划建设一座测试工厂，为DRAM存储芯片提供测试及模组组装，所投入超募资金主要用于设备购置及安装。

对于自建后道测试基地，公司表示，随着产能持续提升、产品种类增加，未来可能面临外部封测厂测试产能不足以及新增投资配套不足的问题。

自建后道测试和模组项目有助于更加灵活地协调测试产能，降低DRAM芯片测试成本，并进一步完善IDM模式。

二级市场上，长鑫科技自2026年上市以来股价累计涨幅超过500%。9月29日公司股价上涨3.25%，市值超过3.7万亿元，居于A股上市公司首位。

市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。